日前，由南开大学电光学院科研团队孵化的薄膜型锑化铟霍尔元件芯片项目正式落地天津经开区微电子创新产业园，项目运营主体天津同芯半导体有限公司将深耕高端霍尔芯片国产化研发与量产，补齐国内细分领域技术、产品和产能短板，为泰达芯谷半导体产业集群再添细分赛道核心力量。

薄膜型锑化铟霍尔元件广泛应用于新能源汽车、机器人、智能装备等关键领域，作为传感核心功能芯片，国内市场长期高度依赖进口，是制约产业链自主安全的典型“卡脖子”产品。

本次落地的项目为南开大学电光学院前沿科研成果，总投资3000万元，规划分三期梯次布局3条薄膜型锑化铟霍尔元件芯片产线。该产线拥有全套自主知识产权，囊括了核心薄膜制备及芯片成型工艺等技术，实现完全自主可控。目前，项目多款关键生产设备已由团队自主研发并实现产业化验证，其中部分设备为国内首台套，彻底打破海外技术、设备双重壁垒。项目全面投产后，产品可直接对标、替代日韩进口霍尔芯片，全方位保障国内产业链供应链稳定安全。

据介绍，天津经开区作为天津半导体产业核心承载地，依托泰达芯谷逐步构建起覆盖EDA、设计、封装、测试、设备的全环节产业布局，已汇集恩智浦、华大九天、豪威集团、伯芯微、同芯半导体等众多行业龙头领军企业，形成周边上下游协同联动的良好产业生态。为护航集成电路产业高质量发展，天津经开区已持续从政策、载体、人才、基金、产业联盟、成本保障六大维度精准发力，未来将不断构建全流程、全方位、全周期的产业支撑体系，切实推动集成电路产业创新发展迈上新台阶。