8月24日，总投资达63亿元的光芯片产业化项目一期摘牌，这是佛山乃至广东在半导体领域固定资产投资额最大的项目，也是佛山新动能产业引导基金成立以来首个摘地的投资项目。

佛山的另一个项目——总投资35亿元的清溢光电掩膜版生产基地，已于2025年11月正式投产，正处于产能爬坡阶段。清溢光电近日发布的2026年上半年财报显示，该公司利润增速远超营收，盈利能力显著提升。

63亿元与35亿元，两个超级项目共同勾勒出佛山半导体产业的“芯”地图，从掩膜版到光芯片，从材料到器件，一条完整的产业链正在制造业重镇佛山加速成形。

63亿元光芯片落子佛山

8月24日摘地的光芯片项目，由全球稀散金属材料领军企业广东先导稀材股份有限公司投资建设。2025年8月，先导稀材已与佛山市、南海区签署合作协议。一年之后，项目从纸面落到了地上。

首期工程将聚焦光电材料、光电传感、光模块三大核心产品，建设生产厂房及公辅配套设施。全面达产后，将形成从磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)外延片、光芯片、光通器件到光模块的全链条生产能力。年产21万片外延片、4万片芯片、30万支光通器件及50万个光模块，年产值目标直指百亿元，将有效填补高端光电材料及光芯片产能缺口，进一步带动佛山半导体与光电产业建圈成链。

在63亿元光芯片项目摘地之前，清溢光电35亿元的掩膜版基地已经在这片土地上先行一步。

作为国内掩膜版龙头，清溢光电于2024年3月18日宣布在佛山市南海区投资35亿元建设“平板显示及半导体用掩膜版生产基地”。从动土到投产，仅用了一年多时间。

2025年11月14日，投产仪式在南海区丹灶镇举行。该35亿元项目是清溢光电成立以来最大规模的产能扩张计划。其中，高精度平板显示掩膜版基地投资20亿元，主攻8.6代及以下高精度FPD掩膜版;高端半导体掩膜版基地(佛山清溢微)投资15亿元，聚焦180nm—28nm制程。两大基地分属清溢光电的“平板显示+半导体”双赛道。

清溢光电佛山基地带给佛山的，不只是一座工厂，更是一系列“从0到1”的突破。2025年11月，清溢光电佛山高端半导体掩膜版生产基地引入佛山第一台电子束光刻机。电子束光刻机是制造尖端半导体掩膜版的“王牌”设备，它的入驻，正式开启了佛山高端半导体用掩膜版的制造历史。

清溢光电近日发布的2026年上半年财报显示，佛山基地的平板显示配套掩膜版生产线已投产，正进行量产验证。佛山清溢微生产基地已进入试生产阶段。公司已成功通过55nm Binary工艺节点客户验证，正稳步推进130nm至28nm节点工艺研发。

按照规划，2026年下半年平板显示产线目标满负荷运营;2026年底PSM技术掩膜版量产落地;2027—2028年攻坚28nm技术节点。

佛山“芯”版图加速成型

佛山是中国家电之都、汽车制造重镇、装备制造业高地，美的、海信、一汽-大众等巨头在此扎根。然而，庞大的制造业“家底”与薄弱的半导体供给能力之间，存在严重失衡。

这种失衡并非一朝一夕形成的。上世纪90年代，当全球半导体产业转向集成电路(IC)引爆信息革命时，以传统电子器件见长的佛山未能跟上转型步伐。直到十年前，佛山半导体企业仍屈指可数，产业结构存在“中间强、两头弱”的短板：封装测试、分立器件等中间环节有积累，但芯片设计力量薄弱，晶圆制造更是空白。彼时佛山企业设计出的芯片，必须赴上海、深圳完成后续工艺。

佛山并非没有意识到这个问题。2022年，佛山出台《半导体及集成电路产业集群发展行动方案(2022—2025年)》，提出“坚持市场应用牵引，强化自主创新”。2026年6月，佛山召开加快建设现代化产业体系工作大会，明确以“1+7+3+3+N”新打法推进产业体系建设，半导体被列入七大关键产业赛道。当月，佛山市半导体产业办公室由市科技局牵头组建，统筹五区园区建设、项目布局和招商引资。

清溢光电的落子，并非孤例。过去一年多，一批具有“链主”潜力的重大项目密集落地佛山。

在南海，除了清溢光电，蓝河科技、原速科技两大半导体装备“隐形冠军”相继落户，分别填补化合物半导体核心装备和高端ALD装备的制造空白。

在禅城，禅芯半导体建设高端激光器芯片制造基地，预计带动投资超10亿元。在顺德，鑫诚光电光芯片项目已投产，“顺德光谷”正式启动，集聚56家光电、半导体关联企业。高明重点扶持半导体激光设备、MEMS传感器。三水主攻硅基、宽禁带半导体关键材料。

一条涵盖设计、制造、封测、材料、设备的完整产业链在佛山基本成形。截至2025年，全市集聚半导体产业规上企业136家(若含关联企业则达336家)，培育上市企业6家、国家级专精特新“小巨人”12家。佛山从“单点突破”迈向了“生态成形”。

清溢光电、先导稀材先后选择落地佛山南海，并非偶然。南海区正在用真金白银的政策，为半导体企业铺路。2026年1月30日，南海区正式实施《佛山市南海区支持半导体及集成电路产业高质量发展若干措施》。政策明确提出：对半导体企业用于研发的掩膜版制作实际发生费用给予最高60%的费用补助，单家企业年度补助最高可达300万元。

此外，政策还对企业购买IP、EDA设计工具等给予40%—50%补助，年度上限200万元;鼓励企业利用季华实验室、广东微纳院等平台开展中试。同时，南海明确提出发挥“南芯一期”等政府引导基金作用，形成“以投促引、以引促产”的良性循环。