三菲化合物半导体光芯片制造基地落户太仓 总投资20亿元
4月8日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇。项目计划总投资20亿元，其中，一期项目总投资10亿元，建成后将有力助推区域产业能级提升、未来产业发展。
三菲半导体成立于2002年，立足自有光芯片、电芯片、算法的核心技术能力，专注于模拟光和相干光的光电一体化解决方案。为进一步拓展业务、扩大产能，三菲决定在城厢镇投资建设三菲化合物半导体光芯片制造基地项目，主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造，打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链。一期项目预计今年8月开工建设、2028年投产运营，达产后可实现年产值超10亿元。
编辑：
杨洪波
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